山西省发布第三代半导体产业专利动态监测报告

“14英寸碳化硅单晶材料”技术达到国际先进水平

4月21日，2026年全国知识产权宣传周活动山西分会场在太原启动。活动现场发布了《山西省第三代半导体产业专利动态监测报告》（以下简称《报告》），旨在客观呈现技术演进态势与竞争格局，为产业决策与创新布局提供专利信息参考。

据了解，第三代半导体以碳化硅、氮化镓为核心，广泛应用于5G通信、新能源汽车、智能电网、航空航天等战略性产业，是支撑科技自立自强的关键领域。国家“十四五”及“十五五”规划均将其列为关键核心技术攻关方向，在宏观政策引领下，我国产业基础日益坚实，产业链自主可控能力显著增强。

《报告》通过数据对比明确山西省区域定位，分析显示，山西省第三代半导体产业在专利数量与产业规模方面与国内发达地区仍存在一定差距，但在科技前沿攻关方面，近两年也涌现出一批标志性成果，其中由天成半导体攻克的“14英寸碳化硅单晶材料”技术已达到国际先进水平。

《报告》将宏观趋势与微观情报有机结合，为企业提供“技术雷达”，为政府提供“数据参谋”。后续将持续开展产业专利动态监测，为保障产业链供应链安全、推进科技自立自强贡献专业力量。

本次活动由国家知识产权局指导，山西省市场监管局（知识产权局）、太原市人民政府联合主办。（姚荃茂）

责任编辑：刘玉晨