波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域，产品及服务获得客户高度认可。继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，为公司存储产品组合带来更多可能性。

随着自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龙将在半导体存储品牌企业的定位和布局上持续深耕，不断提升核心竞争力。团队不仅精通闪存芯片的设计技术，并且对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解，对于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富的经验。在此基础上，公司能够根据特定需求设计出不同容量和接口的闪存芯片，为客户提供定制化服务。

在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合公司自主开发的测试平台，实现了高效的生产测试，以确保交付客户的闪存芯片具有高度的一致性和可靠性。

MLC NAND Flash芯片为了确保数据读取和写入的稳定性，需要精确控制保存在存储单元内的电荷数量。为达到该要求，一方面需要设计高精度的模拟电路，以精确产生读写存储单元时所需的操作电压；另一方面，需要精心设计算法来控制操作的时序和电压，让算法能够适应工艺特性（尤其是新工艺），且实现尽可能低的能耗。通过在芯片内嵌入微控制器，能够修改固件，从而实现更为灵活的算法控制。为了使得数据存储更加可靠，芯片还内嵌了温度传感器，能够搭配算法实现更加精准的控制。

除了在NAND Flash芯片领域持续发力，江波龙在DRAM芯片方面也进行了深入研究与探索。2023年，公司就已推出复合式存储nMCP，该产品将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块的存储需求。凭借对DRAM芯片的深厚技术积累和丰富的测试经验，公司已成功构建完善的ATE测试平台和SLT系统级测试平台，能够在芯片测试阶段，高效地完成DRAM的单体测试，显著缩短单项测试时间，从而降低成本。

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